離子刻蝕機RIE-1C
設定好工藝配方后“一鍵式”操作
可處理一片4英寸晶片或多枚切片
工藝完成時響鈴通知
安全設施以保護操作員和設備
緊湊式設計
小體積可節省空間
菜單
去層研磨鑲嵌
RIE-1C是一種緊湊的反應離子刻蝕系統。該系統是潔凈室空間有限的實驗室的理想解決方案，其設計可優化刻蝕速率、均勻性和選擇性，尤其適合去除IC失效分析中的鈍化層。
RIE-1C是一種氟基蝕刻系統，也可用于蝕刻硅基薄膜、難熔金屬、金屬硅化物和旋涂玻璃。配方設置完成，按一下按鈕就可以開始完整的基板/設備處理。
1、刻蝕鈍化材料如氮化硅、二氧化硅和氧氮化硅。
2、金屬間介電層的刻蝕及剖面調整。
3、失效分析用集成電路板上殘留封裝材料的刻蝕。
4、光刻膠和聚酰亞胺的刻蝕。
5、硅、多晶硅、難熔金屬、硅化金屬、旋涂玻璃等的刻蝕。
1、設定好工藝配方后“一鍵式”操作。
2、可處理一片4英寸晶片或多枚切片。
3、工藝完成時響鈴通知。
4、安全設施以保護操作員和設備。
5、緊湊式設計。
6、小體積可節省空間。
反應室 | 石英，?212 mm |
上下電極 | ?120mm、水冷 |
射頻功率 | 13.56MHz，200W晶體振蕩，手動匹配 |
進氣管 | 2條 |
壓力測量 | 隔膜表（0~2.66x 102 Pa） |
真空系統 | 干泵（500L/min） |
尺寸 | 主機：400毫米（寬）x 440毫米（深）x 325毫米（高） |
支架：400 mm（寬）x 620 mm（深）x 798 mm（高） |
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